北京
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“ETOX Nor闪存的双重侧墙制备方法及器件”的专利，公开号CN122952604A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种ETOX Nor闪存的双重侧墙制备方法，包括：1）进行外围区栅极刻蚀，形成外围区图案，此时存储单元区控制栅/浮栅尚未成图；2）依次进行高温氧化硅、氮化硅沉积，形成外围区侧墙预制结构；3）刻蚀上述薄膜，去除顶部和衬底上的膜层，仅在侧壁保留预设厚度的外围区侧墙；4）在存储单元区完成控制栅/浮栅图案化；5）在两区栅极结构上依次沉积高温氧化硅、氮化硅、氧化硅，形成双重侧墙预制结构；6）整体刻蚀三层薄膜，去除顶部和衬底上的膜层，仅侧壁保留侧墙，最终形成存储单元区和外围区两种不同厚度的侧墙，即双重侧墙。本发明通过调整工艺顺序使单元区侧墙适配小节点尺寸需求，外围区侧墙保持设计厚度，实现两区侧墙厚度独立调控。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2954次，专利信息2241条，此外企业还拥有行政许可119个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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