北京
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IT时代网10月21日消息，佳能计划到 2029 年，将面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前水平提升五成。
佳能正在开发用于先进封装工艺的 i 线光刻设备；该企业还开发了一种分辨率达 0.8 微米的大尺寸基板光刻机台，能处理 510×515 毫米基板，具备高对准精度和大视场角。
佳能半导体设备事业部负责人在接受采访时表示，无掩膜直写图案化方案目前暂时还不是 i 线光刻机在 RDL 生产领域的直接竞争对手。
佳能去年时隔 21 年开设新光刻机工厂，重点抓非先进制程机台需求。
注：本文配图由AI生成。本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。
编辑：林一舟
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