北京
三星晶圆代工部门要把8纳米工艺再往前推一代。据三星提交给 IEDM 2026 的技术摘要，第二代 8LPU+ 平台相较上一代 8LPU，性能提升 12%、功耗降低 15%、芯片面积缩小 8%。
这组数字之外，还有一个更值得注意的选择：8LPU+ 明确走“无 EUV”路线，继续利用现有 DUV 产线。最先进制程普遍依赖极紫外光刻，三星这一步等于绕开了高昂的 EUV 设备投入。
省下的不只是设备钱。按三星的说法，这条路线能在成熟制程上争取更低成本、更快量产的竞争力。对晶圆代工业务来说，这是把已有产线的价值再榨一遍。
具体到工艺细节，新平台通过 ULL-SRAM 与 cHVT 器件降低待机漏电。8LPU+ 还集成原生 3.3V 平面 I/O 器件，可额外减少约 10% 的 I/O 面积。
目标市场也划得很清楚：边缘 AI、机器人和汽车芯片。汽车级 1 级（AG1）eMRAM 位单元面积约为 0.017 平方微米，相当于每平方毫米约 20Mb 存储容量。
三星计划在太平洋标准时间 12 月 14 日下午 4:20~4:45（北京时间 12 月 15 日上午 8:20–8:45）的 IEDM 2026 活动上公开演讲，届时这套平台的更多细节会摆到台面上。
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