北京
集邦咨询（TrendForce）援引多方报道给出预估：2026年第四季度DRAM合约价格环比上涨约20%。放在前两个季度旁边看，这个数字是收着走的——第二季度约80%，第三季度约40%，增速在放缓，但市场整体仍处在价格高位，供应紧张、需求强劲的周期没有结束。
推着价格往上走的核心因素是人工智能推理需求的持续扩张。更大模型、更长上下文窗口，以及不断增长的KV缓存需求，正在拉动服务器DRAM和企业级SSD的容量与带宽需求。另一头，主要存储器厂商把产能优先投向HBM等高端产品，传统DRAM的供给因此更趋紧张。
涨势放缓也有现实原因：前期价格基数已经较高，终端市场购买力有所减弱，部分长期采购协议中的价格上限正逐步生效，限制了价格进一步快速上涨。
HBM这边供应吃紧，压力已经传到了产品设计上。英伟达据报正考虑将Rubin Ultra的HBM堆叠层数从12层降至8层。若其他条件不变，单颗GPU的HBM容量将减少约33%，但同样的DRAM芯片供应理论上可支持多50%的GPU出货。
代价落在成本上：8层HBM因基础裸片成本占比更高，2027年每Gb成本预计反而比12层高出10%至20%。层数少了，单颗芯片便宜不了，这笔账最终还是要算到供应链头上。
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