北京
国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“晶圆检测方法和晶圆检测系统”的专利，公开号CN122935215A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请公开了一种晶圆检测方法和晶圆检测系统，属于半导体技术领域。所述方法包括：将刻蚀剂加热至熔融态；在熔融态的所述刻蚀剂的温度大于或等于预设温度阈值的情况下，将待测晶圆浸没于熔融态的所述刻蚀剂，并通入第一辅助气体，对所述待测晶圆进行刻蚀，所述第一辅助气体为氧化性气体；获取所述待测晶圆的刻蚀形貌图像；基于所述刻蚀形貌图像，确定所述待测晶圆的位错检测结果。该方法通过通入第一辅助气体，可以为待测晶圆的刻蚀过程补充溶解氧，溶解氧可以提高刻蚀速率，以使待测晶圆中不同类型的位错更易于分辨，该方法出现误判的概率低，得到的位错检测结果准确度高。
天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本33997.7041万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息42条，专利信息300条，此外企业还拥有行政许可14个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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