北京
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国家知识产权局信息显示，中兴通讯股份有限公司、西安电子科技大学申请一项名为“半导体结构制作方法、半导体结构及电子设备”的专利，公开号CN122935133A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构制作方法、半导体结构及电子设备，该方法包括：在衬底上方形成混合缺陷抑制层，其中，所述混合缺陷抑制层为立方相和六方相混合相结构，且所述立方相和所述六方相的相界面形成有层错；在所述混合缺陷抑制层上方形成氮化镓层。本申请实施例能够减少氮化镓层中的位错密度，提高氮化镓层的晶体质量，提高半导体结构的性能和可靠性。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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