北京
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国家知识产权局信息显示，盛吉盛（韩国）半导体科技有限公司申请一项名为“EFEM的晶片冷却装置”的专利，公开号CN122935154A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本发明涉及一种EFEM的晶片冷却装置，包括：外部外壳，设置在EFEM的一侧壁面；晶片架，设置在外部外壳的内部，形成有多个狭槽，以存放从EFEM的内侧插入的晶片；挡板，设置在晶片架的后面，并且形成有与插入于多个狭槽的晶片之间的间隙一对一对应的多个挡板孔；内部外壳，设置在晶片架的后方，在晶片架的后方区域形成吸气空间；吸气源，通过晶片之间的间隙形成从EFEM的内部空间向吸气空间移动的空气流动，以强制冷却晶片；及排气管，连接于吸气空间，向吸气空间的外部排放空气流动；因此，提高晶片冷却性能，进而在排出晶片时防止由热冲击带来的晶片损伤，并且缩短晶片冷却时间，可提高晶片生产率。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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