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今年8月，英伟达宣布推出NVHBM。这是一种定制HBM，进一步扩展了NVLink Fusion生态系统，为XPU带来更高的内存性能和效率。其中采用了定制的基础裸片（Base Die），相比于标准的HBM4E，将内存控制器集成至基础裸片，可以提供更高的带宽，同时功耗更低，芯片面积也更小。作为HBM领域的主要客户，英伟达的决定影响着存储芯片制造商的选择。
据Wccftech报道，英伟达的NVHBM需要三星和台积电的参与，在制造领域采取更为精简的流程。三星和台积电似乎已经联手，开发3nm工艺制造的基础裸片，最终目标是打造一个标准化产品，减少质量验证步骤。
传闻英伟达已经要求三星、美光和SK海力士选择台积电3nm工艺，生产NVHBM所需要的基础裸片。这么做的最大好处是，英伟达无需分别验证各厂商样品，节省了宝贵的时间和资源，减轻了不必要的负担。其中三星已经接受了这一要求，也是其首次改变自身的HBM制造流程，考虑到HBM的巨大需求，并不介意与台积电组建临时联盟。不过三星仍然在评估自家代工厂，担心NVHBM的需求超过了台积电的产能，正在验证2nm工艺制造的NVHBM基础裸片，作为潜在的替代方案。
其实早些时候就有消息称，三星打算在定制HBM的基础裸片上采取双轨并行策略，根据客户的需求，提供自家代工厂和台积电制造的基础裸片。如果客户选择台积电，相关设计将由存储业务部门负责。
今年三星的HBM4量产十分顺利，其中的基础裸片采用了自家代工的4nm工艺制造。由于三星的HBM4市场需求日益增长，不但拉动了存储收入，也有力地支持了三星的晶圆代工业务。传闻三星4nm生产线的50%至60%产能都用于生产HBM4的基础裸片，使其晶圆代工业务在2026年的亏损同比减少42%。
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