北京
【CNMO科技消息】第五届GMIF创新峰会（GMIF2026）日前在深圳落幕。这场由深圳市存储器行业协会与北京大学集成电路学院共同主办的大会以“AI内存与存储构建的未来”为主题，注册参会的专业人士超过3000人，讨论集中在AI推理、企业级存储以及云、边缘与终端协同等议题上。
图源网络
三星内存中国的CVP兼CTO凯文·尹在大会上发表题为《内存革命：构建智能体AI的基石》的主题演讲，介绍了覆盖从服务器SSD到端侧zNAND-O的完整产品布局。他指出，随着AI从生成式走向智能体，多个智能体协同处理复杂任务，产生的token数量急剧增加，KV缓存的容量与复用需求随之上升。一旦KV缓存超出GPU内存的承载范围，独立的共享存储层级就变得不可避免。
围绕KV缓存共享，凯文·尹介绍了两种服务器SSD。主打性能的PCIe Gen6产品PM1763采用V-NAND TLC并强化了散热系统，计划在2026年第四季度出样。主打容量的BM1773基于V9 QLC，容量覆盖16TB至256TB，并自称“全球最小的256TB SSD”。用他的话说，这两款产品将同时覆盖性能市场和容量市场。
在NAND工艺层面，凯文·尹介绍了三星最新的V10 BV-NAND，这是业界首个实现400层以上的产品。相比V9，V10的位密度提升58%，I/O速度提升33%，功耗降低25%。他提到，其中的关键在于先进键合技术，即把存储单元与外围电路分开制造，再垂直贴合，从而实现高密度堆叠。
针对端侧AI，三星给出的方案是新一代NAND架构zNAND-O，目前正在开发4层与8层两个版本。按照三星的判断，到2030年AI模型的参数规模将超过1万亿，如果沿用现有统一内存架构、把所有权重都放在DRAM里，端侧成本会迅速攀升。zNAND-O与MPU封装在一起并通过UCIe接口连接，位密度达到DRAM的10倍，读取带宽与读取能效则是NAND闪存的7倍。在使用Moonshot AI的Kimi K2-1T模型进行的模拟中，采用zNAND-O的NPU优化架构在同等性能下把内存成本降到四分之一，所能容纳的模型规模接近原来的两倍。
GMIF每年都会表彰在产业链上推动关键技术突破与计算生态建设的企业。三星半导体凭借zNAND-O三维架构、400层以上V10 NAND、CXL内存以及在DRAM与NAND领域长期的领先位置，获得AI内存与存储产业卓越领导力奖，这也是它连续第二年在这一大会上获奖。从共享KV缓存所需的高速与大容量服务器SSD，到400层以上的V10 NAND，再到面向端侧的zNAND-O，三星在多个层级上都拿出了对应方案。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
