北京
国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN122935181A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，属于半导体制造技术领域，制备方法包括P型基区退火工艺，P型基区退火工艺中采用硅舟支撑晶圆，硅舟与晶圆的支撑点到晶圆圆心的距离小于或等于晶圆半径的85%。该半导体结构的制备方法中P型基区退火工艺过程中采用硅舟支撑晶圆，硅舟具有与晶圆相同的物理性质，因此可以避免因热膨胀系数和热导系数不同而造成的晶格错位，硅舟与所述晶圆的支撑点到所述晶圆圆心的距离小于或等于所述晶圆半径的85%，硅舟与晶圆的支撑点靠近晶圆的中心，在高温制程中重力应力对整个晶圆的影响小，能够改善P型基区退火工艺中由于高温影响出现的接触孔套刻精度偏大的情况，提高产品良率。
天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目197次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息1170条，此外企业还拥有行政许可57个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
