北京
国家知识产权局信息显示，先导原创（上海）新技术研究有限公司申请一项名为“一种GaN器件结构及其应用”的专利，公开号CN122932651A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本发明公开了一种GaN器件结构及其应用，该结构包括：第一GaN场效应晶体管、第二GaN场效应晶体管和分流模块；第一GaN场效应晶体管的漏极与第二GaN场效应晶体管的源极连接，第一GaN场效应晶体管的源极与第二GaN场效应晶体管的栅极连接且连接点接地电位，第一GaN场效应晶体管的栅极连接外部电压；分流模块的一端分别与第一GaN场效应晶体管的漏极与第二GaN场效应晶体管的源极连接，分流模块的另一端分别与第一GaN场效应晶体管的源极与第二GaN场效应晶体管的栅极连接。本发明既能够提升GaN器件的高频高效特性，还可以增强器件的可靠性，同时实现晶圆芯片的系统级集成，降低封装成本。
天眼查资料显示，先导原创（上海）新技术研究有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，先导原创（上海）新技术研究有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目5次，专利信息64条，此外企业还拥有行政许可17个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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