北京
国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种高深宽比结构的清洗方法及其应用”的专利，公开号CN122935149A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种高深宽比结构的清洗方法及其应用，所述清洗方法包括：提供一具有高深宽比结构的晶圆，还包括以下步骤：步骤一、采用第一氧化性清洗液对高深宽比结构进行第一喷淋处理，设定第一喷淋周期，按照第一喷淋周期对高深宽比结构进行周期性喷淋，在高深宽比结构内形成往复呼吸流；步骤二、采用颗粒去除清洗液对高深宽比结构进行第二喷淋处理，将晶圆进行加热，晶圆的顶部温度小于晶圆的底部温度，利用晶圆顶部和晶圆底部的温差形成表面张力梯度，使颗粒去除清洗液沿高深宽比结构的内壁自晶圆底部向晶圆顶部流动。本发明通过液体周期性切换形成高深宽比结构内液体周期呼吸效应，并结合温差调控等，提高了流体更新率和颗粒去除效率。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目1016次，专利信息429条，此外企业还拥有行政许可17个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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