北京
国家知识产权局信息显示，浙江六方半导体科技有限公司申请一项名为“一种CVD-SiC涂层耐金属污染腐蚀的检测评估方法”的专利，公开号CN122921903A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种CVD‑SiC涂层耐金属污染腐蚀的检测评估方法，包括以下步骤：在CVD‑SiC涂层试样的表面形成金属污染膜，然后置于高温下进行腐蚀；对腐蚀后的所述CVD‑SiC涂层试样进行失效检测，并根据失效检测结果计算金属腐蚀失效指数。本发明通过标准污染源、标准气氛、标准温度时间制度和标准失效判据，使原本分散在客户端不同设备、不同炉次和不同工况中的失效问题转化为可标准化、可重复、可对比的定向加速测试，可显著缩短CVD‑SiC涂层开发、供应商筛选和客户端导入验证周期。本发明还提供金属腐蚀失效指数MCFI，将多维失效结果进行量化评价，使不同涂层批次、不同沉积工艺、不同后处理工艺及不同供应商之间具备可量化比较基础。
天眼查资料显示，浙江六方半导体科技有限公司，成立于2018年，位于绍兴市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本1729.967059万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江六方半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目15次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息95条，此外企业还拥有行政许可12个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
