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国家知识产权局信息显示，荆创益（沈阳）半导体设备有限公司取得一项名为“一种远程等离子体系统及薄膜沉积设备”的专利，授权公告号CN224862232U，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种远程等离子体系统及一种薄膜沉积设备。所述远程等离子体系统包括：远程等离子体源；连接柱，其第一端连接所述远程等离子体源；底座，其第一端连接所述连接柱的第二端，而其第二端连接工艺腔室，其中，所述工艺腔室与所述底座的第二端之间设有密封圈；以及调温装置，包括热偶、温控器及温度调节模块，其中，所述热偶贴设于所述连接柱外侧，以检测其内部远程等离子体的温度，所述温控器根据所述热偶测得的温度，驱动所述温度调节模块调节所述底座的温度。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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