北京
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国家知识产权局信息显示，京东方科技集团股份有限公司、华南理工大学申请一项名为“氧化物薄膜晶体管及其制备方法、显示装置”的专利，公开号CN122934869A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本公开的实施例提供了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法、显示装置。涉及薄膜晶体管技术领域，用于提升氧化物薄膜晶体管的开态电流和稳定性。所述氧化物薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极。其中，所述有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层，所述第一有源层相较于所述第二有源层靠近所述栅极。所述第一有源层和所述第二有源层包含的金属元素相同，且均包含铟元素、锌元素、镓元素、锡元素、铝元素、钛元素、钽元素、钨元素和钼元素中的至少两种；所述第一有源层和所述第二有源层还包含氧元素，且所述第一有源层和所述第二有源层的结晶状态不同，和/或，所述第一有源层和所述第二有源层的氧空位的含量不同。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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