北京
国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（宁波）有限公司申请一项名为“一种减少半导体工艺中金属污染的方法及半导体器件”的专利，公开号CN122935229A，申请日期为2026年9月。
专利摘要显示，本申请提供一种减少半导体工艺中金属污染的方法及半导体器件，半导体工艺包括沉积工艺和刻蚀工艺，方法包括：将晶圆放置于半导体设备中，执行沉积工艺，以在晶圆上形成目标材料层，其中，在沉积工艺结束后，沉积工艺所在的反应腔室中残留有第一气体；在沉积工艺结束后，且在刻蚀工艺开始前，执行气体隔离操作，以阻断第一气体与刻蚀工艺中通入的第二气体反应生成水汽，其中，气体隔离操作为时序物理隔离或空间物理隔离；执行刻蚀工艺，以对目标材料层进行刻蚀。本申请通过在执行刻蚀工艺之前执行气体隔离操作，从源头阻断第一气体与第二气体反应生成水汽，避免生成酸性物质腐蚀金属部件，减少晶圆的金属污染，改善器件性能和产品良率。
天眼查资料显示，荣芯半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41452.2292万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（宁波）有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息17条，专利信息140条。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
