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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“具有宽源极/漏极区的装置的背侧接触部”的专利，公开号CN122934896A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本文提供了形成具有半导体装置的集成电路的技术，该半导体装置具有使用不同外延生长轮廓形成的源极或漏极区。一种集成电路包括在第一方向上从第一源极或漏极区延伸的第一半导体区，以及在第一方向上从第二源极或漏极区延伸的第二半导体区。沿着第一方向第二源极/漏极区可以比第一源极/漏极区宽。第二源极/漏极区包括具有一个或多个外延层的第一外延区和具有在第一外延区上的一个或多个附加外延层的第二外延区。第一和第二外延区中的每一者可以包括掺杂有一种或多种n型或p型掺杂剂的至少一个外延层和基本上未掺杂的至少一个层。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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