北京
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国家知识产权局信息显示，博盛半导体股份有限公司申请一项名为“SiC接面场效电晶体及制作方法”的专利，公开号CN122934845A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开一种SiC接面场效电晶体及制作方法，利用单一布植制程进行离子掺杂以同步形成JFET区(Junction Gate Field‑Effect Transistor，JFET)与N型表层，达到简化制程步骤、调整导通电阻及临界电压；接续通过先进行闸极布植，再进行间隔层沉积制程、沟槽蚀刻的制程顺序，使间隔层厚度决定闸极接面宽度，利用闸极与JFET区掺杂浓度差异，于沟槽蚀刻过程自然形成渐缩轮廓并优化闸极接面；最后，以二阶段倾斜布植配合前述闸极布植及间隔层制程，使沟槽闸极接面呈上宽下窄的形貌，达到改善电场分布及提升元件效能。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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