北京
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国家知识产权局信息显示，富采光电股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN122934994A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明公开一种半导体装置，其具有第一长边与相对于第一长边的第二长边。半导体装置包括半导体叠层、第一下部接触结构、第一台面接触结构与第一电极结构。半导体叠层具有下部以及连接于下部的台面部。第一下部接触结构设置于下部上。第一台面接触结构设置于台面部上，并包括：第一注入部、连接于第一注入部的第一延伸部、分离于第一延伸部的第二注入部，以及连接于第二注入部的第二延伸部。第一电极结构覆盖台面部的一部分，并电连接于第一台面接触结构。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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