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观点网讯：2026年10月15日，马斯克在X平台发文指出：“China will be making a LOT of RAM in 2028”（中国将在2028年大量生产RAM），回应韩国财经专栏对记忆体市场的警告。
该专栏指出，随着新产能陆续上线，2029年恐出现记忆体供过于求，韩国只剩2至3年时间发展新增长产业。
马斯克的这条贴文，是引用@pequityresearch分享的韩国市场分析。贴文发布后已累积逾百万浏览。
数日前，马斯克已指出，当中国掌握某项产品的制造技术后，其规模化生产能力往往超过全球其他国家的总和，并以锂电池与太阳能板为例。
他进一步表示，RAM大约三年前仍是低利润大宗商品，而LPDDR5与LPDDR6遵循通用标准，中国似乎正在快速攻克；但新一代HBM架构、逻辑层下方的SRAM，以及在逻辑层上方进行3D堆叠并解决散热问题，技术难度则更高。
市场焦点集中在中国最大DRAM制造商长鑫存储（CXMT）。根据摩根士丹利等机构分析，CXMT的DRAM月产能预计从2025年约18万片晶圆，提升至2026年约30万片，并在2028年达到约50万片。
CXMT近期宣布在4F²新架构取得关键进展，该技术可将DRAM单元面积缩减约33%，并计划于2026年底推出基于此架构的DDR5伺服器记忆体。
韩国产业界呼吁把握未来两至三年窗口期，加速布局高附加价值产品与新应用领域。
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