湖南
因为美国的禁令，我们买不到EUV光刻机。
而EUV光刻机，是光刻工艺下，进入7nm以下芯片工艺的必备设备之一，可以说没有EUV，在光刻工艺下，进入7nm以下几乎就没戏。
虽然很多人说7nm、10nm也够用了，但说实话，工艺越先进，芯片的性能越强，功耗越低，这个是肯定的，所以像AI、Soc、CPU等，还是要追求先进工艺的。
但卡住了EUV，怎么办？原有的物理微缩方式很难前进了，那芯片工艺又该怎么前进呢？
于是华为研究出了韬定律，采用逻辑折叠技术，用时间微缩来替代物理微缩，利用DUV光刻机，基于7nm的工艺，能够结构改进，立体排列等技术，硬是让7nm工艺下的芯片，也拥有等效3nm的水平。
这也代表着，没有EUV，一样能够通过结构的创新，推动工艺前进。这也为其它厂商指明了另外一条路。
近日，我们发现，国内最强的内存厂商长鑫，似乎也研发出了自己的“韬定律”，虽然具体的工艺不太一样，但逻辑却是相通的。
内存与逻辑芯片不太一样，逻辑芯片全部由晶体管组成，但内存是靠电容储存电荷来留存数据的，其最基本的一个单元是“1晶体管+1电容”结构。
1个晶体管+1个电容，就是最基本的单元，如果有EUV光刻机的话，技术前进可以采用微缩晶体管的尺寸，从而提高存储密度，让一个存储单元少占点面积。
那如果没有EUV光刻机呢？怎么来让这个基本单元缩小呢？长鑫存储采用的是将晶体管垂直排列，这样节省面积。
如上图所示，左边是传统的平面型晶体管布局，也称之为6F²结构，晶体管是平面型的，占用面积多。而右边则是将晶体管垂直排列起来，是竖起来的，称之为4F²结构，占用面积少了。
4F²结构，就是一个存储单元，只占4个的空间。而原来的6F²结构下一个存储单元，要占6个空间。无形中，相当于节省了三分之一的空间，也就相当于存储密度50%上来。
基于这种4F²结构的内存，长鑫今年就可能会量产上市，而三星同样的技术，可能要到2028年才会上市，所以韩媒自己都认为，三星在这一块上，落后了长鑫2年时间。
从技术原理来看，这个也算是类似于“韬定律”的一种，即并不进行物理微缩，通过结构等创新，实现了存储密度的提升，让芯片的性能提升，你觉得呢？
可见，就算没有EUV，不管是逻辑芯片，还是存储芯片等，一样可以通过其它技术、结构上的创新，来推动技术进步，都有可能研发出属于自己的“韬定律”，绕开EUV。
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