北京
国家知识产权局信息显示，珠海零边界集成电路有限公司申请一项名为“一种SiC MOSFET器件、制造方法和芯片”的专利，公开号CN122909872A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种SiC MOSFET器件、制造方法和芯片，通过间隔的第一P型重掺杂区和第二P型重掺杂区，以及位于第一P型重掺杂区部分表面和第二P型重掺杂区部分表面的源极金属，为高dV/dt开关过程中产生的位移电流提供了一条低阻抗泄放路径，当器件在开通和关断过程中，位移电流将主要从该源极金属流出，而非流经第二栅氧化层，从而极大减小了流经第二栅氧化层的电流，有效降低了第二栅氧化层处的瞬态电场峰值，因此，提高了器件的dV/dt能力，缓解了瞬态氧化层击穿问题。
天眼查资料显示，珠海零边界集成电路有限公司，成立于2018年，位于珠海市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本100000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海零边界集成电路有限公司参与招投标项目3次，专利信息606条，此外企业还拥有行政许可8个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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