北京
国家知识产权局信息显示，麦斯克电子材料股份有限公司申请一项名为“一种快速恢复二极管的外延生长与边缘应力控制方法”的专利，公开号CN122910000A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，一种快速恢复二极管的外延生长与边缘应力控制方法，包括对衬底进行预处理；在预处理后的衬底上，以第一温度和第一生长速率进行第一阶段外延生长；以低于第一温度的第二温度以及低于第一生长速率的第二生长速率进行第二阶段外延生长；以低于第二温度的第三温度以及低于第二生长速率的第三生长速率进行第三阶段外延生长，第三阶段外延生长结束后得到快速恢复二极管外延片；在第一阶段、第二阶段以及第三阶段外延生长过程中实时获取晶圆边缘应力分布数据，并根据预先建立的调整规则对外延生长参数进行调整。本发明旨在改善外延层厚度难以控制均匀、晶圆边缘易产生滑移线与位错的问题。
天眼查资料显示，麦斯克电子材料股份有限公司，成立于1995年，位于洛阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本18505.6088万人民币。通过天眼查大数据分析，麦斯克电子材料股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目625次，财产线索方面有商标信息13条，专利信息380条，此外企业还拥有行政许可116个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
