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IT时代网10月14日消息，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，目前正推进芯片验证。该芯片采用28nm CMOS工艺平台及1T4R存储结构，单芯片容量达1Gb，存储密度为30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。
1T4R结构通过一个选择晶体管连接四个阻变存储单元，在提高存储密度的同时，利用与CMOS平台完全兼容的后道集成方式，在密度、容量和成本之间实现协同。需要解决多个存储单元之间的非目标电流路径、读写干扰等工程难题。
铭芯启睿的技术积累源自中国科学院刘明院士团队，是国际首倡兼容CMOS标准工艺1TnR技术路线的团队，早在2020年已公开28nm 1T2R RRAM研究。公司成立于2024年5月，致力于以先进工艺节点阻变存储器为基础，结合存算融合及先进封装技术解决“内存墙”瓶颈。公司已于2025年完成近亿元天使轮融资，2026年1月完成超亿元Pre-A轮融资。
注：本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。
编辑：林一舟
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