北京
国家知识产权局信息显示，江苏纵慧芯光半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种铟基III-V族半导体晶片抛光方法”的专利，公开号CN122895937A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本发明涉及一种铟基III-V族半导体晶片抛光方法，包括：将陶瓷环置于抛光垫表面，在陶瓷环所环绕区域的几何中心加水修正抛光垫，同时配合毛刷对抛光垫进行清洗，甩干水渍；将抛光液滴加于同样的位置，均匀抛光液后取下陶瓷环；将晶片置于抛光垫表面，抛光液滴加至抛光垫表面的设定位置处，进行抛光；重复步骤S1、S2和S3。本发明进行两方面改进，一是在正式抛光前和结束后，使用陶瓷环修整抛光垫表面，确保抛光液均匀分布，达到提高抛光移除率，延长抛光垫使用寿命的目的，二是通过优化实际抛光过程中抛光液滴液位置于M点，保证滴出的抛光液在没有被离心力甩出抛光垫前接触到铟基III-V族半导体晶片表面，实现抛光液的高利用率。
天眼查资料显示，江苏纵慧芯光半导体科技股份有限公司，成立于2015年，位于常州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本37826.5141万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏纵慧芯光半导体科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目135次，财产线索方面有商标信息31条，专利信息254条，此外企业还拥有行政许可30个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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