四川
据韩国媒体10月13日报道，2026年10月12日，应用材料公司（Applied Materials）宣布在加利福尼亚州森尼韦尔揭幕其投资50亿美元的EPIC中心。该设施占地60万平方英尺（约5.57万平方米），旨在汇集芯片制造商、设备供应商和大学研究人员，加速下一代芯片技术的开发与商业化。
据报道，全球半导体设备企业应用材料公司（AMAT）于10月12日（当地时间）在美国加利福尼亚州森尼韦尔公开了由三星电子、SK海力士、台积电等主要半导体企业参与的研发合作基地“EPIC中心”。
总投资额达50亿美元（约6.6万亿韩元）的EPIC中心，是为开展半导体工艺技术与制造设备联合研发而建设的全球最大规模设施。
占地约5万5700平方米（约1万6800坪）的建筑内，设有约1万6200平方米（约4900坪）的先进洁净室。
应用材料公司首席执行官加里·迪克森表示：“随着AI基础设施扩张，高性能计算的需求正在给半导体制造技术开发路线图的各个层面带来前所未有的复杂性。”
加里·迪克森强调，需要一种新的协作方式来推进半导体技术开发与商业化。
EPIC中心的目标是在同一空间内完成从半导体材料研究到设备与工艺开发、试生产的全过程，从而缩短下一代半导体技术开发与商业化所需的时间。
EPIC中心不仅有创始合作伙伴三星电子、SK海力士、台积电、英特尔、美光，还有创新合作伙伴博通、爱德万测试、SCREEN、铠侠、Besi，以及斯坦福大学、加州大学伯克利分校等主要大学参与合作。
全球半导体企业对通过EPIC中心加速下一代技术开发与商业化表达了期待。
三星电子半导体（DS）部门首席技术官宋在赫表示：“我们将通过EPIC，进一步加速从创新技术开发到优化、再到实际应用的整个过程。”
SK海力士首席执行官郭鲁正表示，将通过与应用材料公司的合作，应对高带宽存储器（HBM）、DRAM、NAND等整体领域的关键技术转型节点。
台积电董事长兼首席执行官魏哲家期待尽早掌握下一代半导体设备技术，并推进先进封装等技术开发。
美光董事长兼首席执行官桑杰伊·梅赫罗特拉也预测，这将加快从下一代存储技术研究到大规模量产的转换。
英特尔CEO陈立武在EPIC中心揭幕仪式上表示，英特尔认为到2030年有路径在单个封装中实现超过1万亿个晶体管。这一目标需要3D封装、背面供电、CFET（互补场效应晶体管）等下一代技术的协同突破。目前最先进的AI芯片封装中晶体管数量在数千亿级别。
据媒体分析，EPIC中心位于加州桑尼维尔，是美国半导体本土制造战略的重要组成部分。在美国《芯片法案》推动下，台积电、英特尔、三星、美光等公司正在美国建设新晶圆厂。EPIC中心为这些工厂提供了工艺研发和设备验证的“前端平台”，加速美国本土先进制程的落地。
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