北京
国家知识产权局信息显示，深圳市费诺创新科技有限公司申请一项名为“基于电磁混沌抑制的电子元器件抗干扰增强方法及系统”的专利，公开号CN122908755A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明涉及电子元器件技术领域，特别是基于电磁混沌抑制的电子元器件抗干扰增强方法及系统。此方法通过对目标电子元器件进行高速通信传输模拟，结合忆阻器解析端口寄生阻抗，获取电磁混沌轨迹向量；基于先验动力轨迹与电磁混沌轨迹的动态演化差异分析，采用延迟嵌入重构确定不同干扰源的电磁混沌耦合模式；分解复合电磁扰动，结合动态干扰预测矩阵构建抗干扰控制模型，生成电磁混沌干扰抑制信号，并针对易感频段谐波实施闭环抑制及控制策略更新。本发明能够准确识别复杂电磁环境下高速通信电路中的混沌干扰传播特性，实现未知电磁干扰的预测补偿与动态抑制，有效增强电子元器件的抗电磁干扰能力，提升在复杂电磁环境中的长期运行可靠性。
天眼查资料显示，深圳市费诺创新科技有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本50万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市费诺创新科技有限公司财产线索方面有商标信息6条，此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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