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随着人工智能（AI）工作负载的推动，对应用场景有着更为专业的存储需求，需要不同的解决方案。为此三星打算扩展其下一代NAND闪存产品线，并推进相关的产品早期开发工作，以满足不同场景下的性能需求。
据TrendForce报道，目前三星正在开发三款zNAND产品，包括zNAND-O、zNAND-T和zNAND-I，各自针对不同的AI应用。
虽然目前三星还没有正式官宣zNAND-T和zNAND-I，但是可以了解到，zNAND-T专注于大容量、高性能AI数据中心应用，提供高吞吐量和带宽。zNAND-T与zNAND-O类似，采用了垂直堆叠的NAND闪存芯片，通过硅通孔（TSV）连接，这种架构与高带宽闪存（HBF）相关。另外zNAND-I旨在提供最高的IOPS，即存储设备每秒可完成多少读写操作的指标，反映了单个操作执行的频率，适用于特别需要频繁访问少量临时数据的AI推理工作负载。
三星已经在今年8月的一次行业活动上，介绍了zNAND-O的设计。其兼顾高空间效率、低延迟与优异I/O性能，专为支持实时数据密集型AI应用的边缘计算环境而设计，目标是将DRAM般的速度与NAND闪存的高存储容量结合起来，满足生成式AI和LLM日益增长的数据处理需求。按照三星的计划，2028年将会提供zNAND-O样品。
三星并非唯一针对不同AI工作负载开发NAND闪存产品的存储器制造商，SK海力士也在2025年下半年逐步构建起AI-NAND（AIN）系列，涵盖AIN P（性能）、AIN D（密度）和AIN B（带宽）。其中AIN P目标为高达100M IOPS，AIN D优先考虑存储密度，目标达到PB级别，AIN B则专注于带宽，类似于HBF。
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