北京
国家知识产权局信息显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司取得一项名为“一种MOCVD反应腔体用钼罩”的专利，授权公告号CN224832946U，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本实用新型涉及一种MOCVD反应腔体用钼罩，所述钼罩为中空圆柱结构，所述钼罩的外表面设有绕其轴线均布的多个凹槽，所述凹槽的数量至少为3个；所述凹槽向所述轴线一侧凹陷设置；所述凹槽沿所述轴线的延伸方向延伸，本实用新型通过在钼罩圆周设置一圈均布的凹槽设计，提高钼罩表面积，增大MgN沉积的表面积，有助于维持MOCVD复机初期腔体内一个稳定的Mg分压；凹槽的设置使气流经过时流速相对变慢，增大了Mg原子的停留时间，使MgN更容易在表面沉积；凹槽的设置增大了钼罩与Shutter间的空间，有利于MOCVD生长周期的提升。
天眼查资料显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司，成立于2017年，位于宿迁市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析，聚灿光电科技（宿迁）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目52次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息297条，此外企业还拥有行政许可44个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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