北京
国家知识产权局信息显示，联合微电子中心有限责任公司申请一项名为“兼容宽模场的光学耦合系统及调试方法”的专利，公开号CN122902012A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种兼容宽模场的的光学耦合系统及调试方法。光学耦合系统包括沿光路依次固定设置的激光器、准直透镜、光学隔离器、汇聚透镜；激光器出射的光束经准直、隔离后，由汇聚透镜聚焦至边缘耦合器的端面。通过优化汇聚透镜的焦距及非球面系数等参数，使聚焦光斑的直径控制在6.5～7.0μm范围内，且焦深延长至±7μm内耦合效率仍高于90%。仿真验证表明：在边缘耦合器模场直径从4μm至9μm变化时，所述固定光路结构的耦合效率均高于0.78，峰值达0.97。本发明无需精密主动对准，即可实现一套光路兼容多种模场尺寸的芯片，显著降低封装成本，提升生产良率。
天眼查资料显示，联合微电子中心有限责任公司，成立于2018年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万人民币。通过天眼查大数据分析，联合微电子中心有限责任公司参与招投标项目731次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息325条，此外企业还拥有行政许可5个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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