北京
国家知识产权局信息显示，苏州苏纳光电股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN122909851A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及半导体器件的制造方法，通过设置三个深浅交替的环形沟槽，并且限定三个环形沟槽的深度在远离电容核心区域的方向上由深变浅再变深，且最外围的环形沟槽的深度小于最内侧的环形沟槽深度，形成机械阻抗渐变界面，使得晶圆切割、划片或封装过程中产生的微裂纹自芯片边缘向内部传播时，在经过较深的第三环形沟槽、较浅的第二环形沟槽和较深的第一环形沟槽过程中，在不同深度的环形沟槽界面处发生反射、折射及模式转换，裂纹能量被逐级耗散，并最终阻断于最内侧的环形沟槽之外，从而有效阻止裂纹扩展至电容核心区域，从而显著降低裂纹诱发漏电通道的风险。
天眼查资料显示，苏州苏纳光电股份有限公司，成立于2014年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本36000万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州苏纳光电股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目34次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息196条，此外企业还拥有行政许可10个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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