北京
国家知识产权局信息显示，株洲中车时代半导体股份有限公司申请一项名为“一种芯片横向导热结构及其制备方法”的专利，公开号CN122910043A，申请日期为2026年9月。
专利摘要显示，本发明涉及一种芯片横向导热结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。本发明的芯片横向导热结构包括负泊松比多孔骨架和锡基钎料，锡基钎料设置于负泊松比多孔骨架的上下两侧，且锡基钎料填充负泊松比多孔骨架的孔洞内部，芯片横向导热结构贴装于芯片载体基板的下表面，用于接收载体基板传递的芯片热量并实现平面横向散热。该结构通过锡基钎料填充负泊松比多孔骨架孔洞形成连续导热网络，可有效实现芯片热量的平面横向散热，改善芯片热点聚集问题、降低工作温升；同时负泊松比拓扑具备良好形变适配能力，可缓冲封装热膨胀失配带来的服役应力，抑制界面裂纹与分层失效，显著提升芯片封装长期散热稳定性与服役可靠性。
天眼查资料显示，株洲中车时代半导体股份有限公司，成立于2019年，位于株洲市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本564763.3598万人民币。通过天眼查大数据分析，株洲中车时代半导体股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目6434次，专利信息661条，此外企业还拥有行政许可153个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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