中国长鑫存储杀入DRAM下一代架构赛道，将领先三星SK、海力士

在内存芯片的世界里，每一平方纳米都是寸土寸金。谁能在同样大小的芯片上塞进更多存储单元，谁就握有下一轮竞争的主动权。

中国最大的动态随机存储器（DRAM）制造商长鑫存储近日宣布，在一种被三星电子、SK海力士同样视为“兵家必争之地”的新型存储单元结构上取得关键进展。

据《南华早报》报道，长鑫存储总裁曹堪宇在上海举行的一场产业活动上介绍了这一成果。公司表示，计划在2026年底前推出基于该结构的新一代服务器内存产品。

长鑫存储称，这种自主研发的晶体管设计有望提高存储密度并改善能效。

这则消息之所以引人注目，是因为它触及的正是全球内存产业下一个十年的核心战场。

从“6F²”到“4F²”，一场寸土必争的升级

要理解这项进展，先得认识一个行业术语：F。F指半导体工艺中的最小线宽，存储单元的面积通常以F的平方为单位来衡量。

一个DRAM存储单元通常由一个晶体管和一个电容组成，晶体管像一扇门，电容像一个小水桶，用是否装满电荷来记录0和1。

目前主流商用DRAM采用的是6F²单元结构，即每个存储单元占据六个F平方的面积。长鑫存储此次取得进展的，是更紧凑的4F²结构。

从数字上看，单元面积缩小了三分之一。换句话说，在相同的芯片面积上，理论上可以多容纳约一半的存储单元。

打个比方，如果说过去每户人家需要占用六块地砖，如今只需四块，同一栋楼就能住进更多居民。

但要实现4F²并不容易。传统平面晶体管已无法在如此狭小的空间里立足，业界普遍需要把晶体管“竖起来”，采用垂直沟道等立体结构。

这就像城市用地紧张时，平房只能改建成高楼，向上要空间。在4F²结构中，晶体管的沟道沿垂直方向延伸，栅极可以环绕在沟道周围，从而在更小的占地面积里保持对电流的有效控制。

这种变革涉及材料、工艺和电路设计的全方位重构，被视为DRAM近十年来最重大的架构转型之一。

巨头赛跑，中国玩家加入

4F²并不是长鑫存储一家的目标。三星和SK海力士都在加紧研发类似结构，美光等厂商也在布局相关路线。

在近年的国际固态电路会议等顶级学术会议上，存储厂商已就垂直沟道晶体管与混合键合等技术展开技术交流，竞争日益白热化。

三星电子和SK海力士长期占据全球DRAM市场的大部分份额，它们在新架构上的每一步动向，都牵动着整个产业链的神经。

业内普遍认为，随着平面微缩逼近物理极限，DRAM的竞争正从“谁能画出更细的线”转向“谁能堆得更高、键合得更好、良率更高”。

在这样的背景下，长鑫存储宣布关键进展，意味着中国企业正努力在DRAM下一代架构上与国际巨头站到同一条起跑线附近。

不过，目前公开信息并未披露具体的密度提升幅度、良率和性能指标，实际竞争力仍需等待产品上市后检验。

绕开光刻瓶颈的另一条路

这项进展的意义，还要放在更大的产业格局中审视。

长鑫存储成立于2016年，总部位于安徽合肥，是中国DRAM产业的旗舰企业。

十年间，长鑫存储从零起步，走过了技术引进、自主研发、产能爬坡的艰难历程，已跻身全球DRAM主要供应商行列。近年来，它已陆续推出DDR5、LPDDR5X等主流产品，并在推进科创板上市进程。

然而，美国等国家对先进半导体设备的出口管制，让中国企业难以获得极紫外光刻机等尖端设备。

在传统路线上，DRAM密度提升高度依赖光刻精度的不断提高，这恰恰是中国企业的短板所在。

4F²等架构创新的价值就在于，它通过改变单元结构来提升密度，而不是单纯依赖把线条画得更细。这为在设备受限条件下继续追赶提供了一条可能的路径。

当然，架构转型同样需要先进的刻蚀、沉积和键合设备，以及深厚的工艺积累，难度丝毫不亚于光刻微缩。

AI浪潮下的内存争夺战

长鑫存储选择服务器内存作为首发方向，也颇具深意。服务器内存对稳定性、可靠性要求极高，能否进入主流云服务商和服务器厂商的供应链，是检验一家存储企业技术实力的“试金石”。

人工智能大模型的训练和推理需要海量内存，数据中心对高容量、低功耗内存的需求持续攀升，服务器内存已成为存储市场中最受重视的板块之一。

存储密度提高，意味着单条内存可以提供更大容量。能效改善，则直接关系到数据中心的电费账单与散热压力。

如果长鑫存储能够按计划在年底推出相关产品，并实现稳定量产，将有望在高端服务器内存市场分得一杯羹。

但从实验室突破到规模量产，中间横亘着良率爬坡、客户验证和生态适配等多道关卡。在内存行业，量产能力往往比技术发布更具说服力。

无论如何，这场围绕“四块地砖”的较量已经打响。中国存储芯片产业能否借此实现从追赶到并跑的跨越，2026年底将迎来第一次答卷。