都在盯着跌，长鑫科技在蓄力了

来源：蔚然先声

作者 | 清予

编辑 | 汪戈伐

国产存储的技术进展和资本市场的打压，这一次撞在了同一周。

10月9日至10日，长鑫科技总裁曹堪宇在上海的一场行业大会上宣布，公司4F²架构研发取得关键进展，年底将推出搭载该技术的新一代服务器内存产品。

就在这之前一天，10月8日，A股节后开盘，长鑫股价单日大跌7.79%，报收50.52元，总市值跌回3.43万亿元，创下近两个月新低。

上市至今不过两个多月，长鑫科技已经历了从历史高点61.80元到如今跌破震荡区间的完整走势。技术上不断有新进展落地，股价却在承压，这家公司正处在两条逻辑并行、但市场暂时只认一条的阶段。

01

长鑫这次公开的核心进展，是4F²架构的自研突破，以及混合键合技术的同步推进。

DRAM行业目前普遍采用6F²架构，架构中的“F”代表光刻工艺能实现的最小线宽。4F²就是将存储单元面积缩小到4倍F平方，意味着同样的芯片面积能放下更多晶体管，存储密度因此提高。

但这一步并不是简单的工艺升级，而是从水平布局转向垂直布局的结构性转变，原有的工艺流程几乎无法沿用，需要从字线金属化到位线成型等关键工序重新建立。

长鑫4F²架构的核心是自研的VSG晶体管，采用垂直包围沟道结构，能解决传统工艺中的漏电和短沟道问题，也为进一步缩小单元面积创造了空间。

据《科创板日报》报道，长鑫自成立起便布局4F²相关研究，目前公开专利族超过300件，在国内外同行中数量居前；从2021年发表首篇相关论文，到2023年、2025年相继发布进展，这条技术路线已连续推进五年以上。

混合键合是另一条技术线，它的逻辑是把DRAM和CMOS的制造分开，各自独立优化，再通过晶圆级键合拼在一起，本质是让存储芯片从单纯的平面微缩走向三维集成。

长鑫从2019年起推进这项技术，2025年在IEDM发表论文，首次在12英寸晶圆平台完成DRAM与CMOS的键合实验验证，说明工程层面已有真实基础，不再只是纸面研究。

曹堪宇此次宣布年底推出的DDR5 RDIMM，是4F²架构的首代落地产品。DDR5 RDIMM是服务器内存的主流配置，对可靠性和兼容性的要求远高于消费级产品。

要能在不间断运行环境下保持稳定，支持带电热插拔，还要通过与不同厂商CPU和主板的大量兼容性测试。长鑫把新架构的第一个产品直接定在服务器市场，技术验证的压力相当大。

02

10月8日的大跌，导火索来自A股光通信板块。当天，长光华芯、源杰科技等多只光芯片标的直接打出20%跌停，其他光通信相关个股也普遍重挫。

起因是摩根士丹利在国庆期间发布研报，提示美国可能借助FCC机制对中国产光模块设置限制，最早在3.2T代际落地。具体政策何时落地尚不确定，但市场先行反应，在第一时间为风险重新定价。

光通信和存储此前都是AI硬件行情里涨幅靠前、持仓拥挤的方向。光通信出现跌停潮，资金的应对方式是同步减持整个AI硬件板块，长鑫作为存储方向的核心标的，很自然地被波及。

来自全球存储产业链的信号也在同一时间变得复杂，东芝10月初宣布投资约600亿日元扩建菲律宾HDD工厂，目标到2027财年把面向AI数据中心的产能翻番；三星三季度业绩预告显示营业利润同比增长约782.5%至107.4万亿韩元，但略低于市场预期的108.7万亿韩元。

增长幅度已经相当罕见，市场还是选择盯着那个差距。与此同时，美股存储板块在10月6日已经先跌一轮，SK海力士跌超6%，希捷科技跌9%，西部数据跌近7%，为A股情绪做了铺垫。

从长鑫自身来看，也存在一些使其更容易在利空中被放大的结构性因素。上市以来，总市值最高冲到4.13万亿元，估值在初期被快速拉满。

各家机构对其目标价的判断分歧极大，高盛给出129元，野村看至116元，而晨星给出唯一“卖出”评级，目标价仅16.1元，前后相差接近8倍，本身说明长鑫的合理估值在市场上还没有形成共识。截至9月30日，融资余额已从上市时超150亿元降至90.03亿元，杠杆资金在持续撤离。

9月底公告的349亿元投资计划也带来了一定的心理压力。项目建设周期最长达37个月，期间不会产生直接的利润贡献，对于在高位持仓的资金而言，这类回报周期长的信息，更容易成为获利了结的时机。

背后还有一个不容忽视的宏观变量，彭博经济研究数据显示，美国30年期美债期限溢价已升至2011年以来最高，10年期收益率处于2002年以来的高位区域。利率上行直接推高估值模型中的贴现率，对成长类资产形成系统性压制。

纳指科技ETF溢价率接近35%，说明全球资金对美股科技资产的偏好依然明确，相对而言，国内算力类资产的吸引力在被折价对待。