2026年的存储行业,正在创造过去难以想象的利润。
三星电子 2026年第三季度营业利润预计达到813亿美元,不仅创下公司纪录,也超过同期 英伟达 的716亿美元。对于一个仍然带有大宗商品属性的行业来说,这个数字相当惊人。
但另一个事实同样值得注意:三星电子和SK海力士的股价仍较高点低约35%,以2027年预期盈利计算,市盈率只有约3—4倍。
利润创纪录、估值却低得惊人。究竟是市场错了,还是周期已经走到一个需要重新审视的位置?
大摩认为:AI驱动的存储超级周期确实存在,但超级周期并不意味着周期消失。行业基本面仍然强劲,股票却已经进入更难赚取超额收益的阶段。
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这一次为什么真的不一样?
过去的存储上行周期,通常由PC、智能手机或云计算需求推动。需求回升、价格上涨、厂商扩产,最终供给过剩、价格下跌,形成典型的库存周期。
本轮周期不同之处在于,AI不仅增加了存储需求,而且改变了需求的结构。
首先,AI数据中心建设速度超过了存储行业的供给能力。 HBM 已经成为AI加速器中最昂贵、也最紧缺的部件之一,先进封装、良率和产能分配共同限制了供给。
其次,HBM会显著挤占普通DRAM产能。厂商把更多晶圆和后道资源转向HBM,服务器、PC以及传统 DDR4 等产品的供给反而变得更紧。
再次,本轮扩产更有纪律。越来越多产能通过长期供货协议锁定,部分合同包含价格底线,甚至要求客户支付保证金。与过去“先扩产、再找需求”相比,厂商承担的产能错配风险有所下降。
最后,AI模型的参数量、上下文长度和推理规模仍在提升。每一代芯片需要更多存储容量,同时AI芯片出货量也在增长。大摩预计,全球HBM市场规模到2028年可能扩大至约1000亿美元。
这就是“超级周期”的基础:更强的结构性需求、更高的盈利中枢,以及更长的订单可见度。
但超级利润一定会带来新供给
问题在于,存储行业最重要的规律从未消失: 高利润会刺激资本开支,资本开支最终会转化为供给。
大摩认为,历史上的存储周期通常不是因为需求突然崩塌而结束,而是由于供给追上需求,或客户进入集中消化库存的阶段。当HBM、先进封装和晶圆产能不再短缺,云厂商可能暂停采购,吸收此前积累的设备和库存。
这类调整曾发生在2000年、2016年、2019年和2022年。
短期内,供给反转的风险还不高。大摩预计,DRAM资本开支将从2026年的约980亿美元增加到2027年的1500亿—1600亿美元,但新建晶圆厂形成有效产出的时间主要集中在2027年下半年。因此,供给偏紧的状态可能持续到2027年底。
真正需要跟踪的不是“AI需求会不会明天消失”,而是三个变量:
- 新建产能何时形成有效产出;
- HBM、 CoWoS 和 ABF 等瓶颈何时缓解;
- 云厂商是否开始进入采购后的消化阶段。
存储投资最困难的地方,是股价和盈利并不同步。
历史数据显示,存储股往往在盈利预测仍被上调时就停止上涨:2008年和2012年的周期中,股价约提前4个月见顶;2018年则提前约8个月见顶。
原因很简单。股票交易的是未来。当分析师根据高位价格持续上调盈利时,市场可能已经开始交易下一轮供给增长和价格回落。
因此,周期顶部附近经常出现一种反直觉现象:盈利越好,市盈率越低;股票看上去越“便宜”,潜在风险反而越大。低估值并不能阻止资金在预期反转时集中卖出。
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本轮市场也已经提前反映了大量利好:
- 存储股自2025年9月以来一度上涨约9倍;
- 2026年以来,存储股平均涨幅约180%;
- 亚洲存储企业盈利预测平均上调约432%;
- 在大摩的测算框架中,要维持同样强度的周期上行,DRAM合约价格还需要从当前水平再环比上涨约70%。
这并不代表股价一定马上见顶,但意味着未来的收益将更多依赖预期差,而不是简单依赖“价格还在上涨”。
一个特别值得重视的信号是:如果公司继续发布好消息,股价却反复下跌,市场可能已经开始越过当期利润,定价下一阶段。
2027年仍然很强,但内部开始分化 1. HBM:价格仍有上行空间,良率是关键约束
大摩预计,2027年HBM混合平均售价将从2026年的1.74美元/Gb升至3.84美元/Gb,同比增长约121%。其中, HBM4 预计为3—5美元/Gb, HBM4e 可能达到5美元/Gb以上。
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不过, Rubin 平台的放量慢于此前计划,2026年高端GPU出货仍将以 Blackwell 为主,Rubin预计在2027年下半年之后成为主流。(我们也一直在跟踪Rubin的进展,直播和星球都会讲,欢迎到星球查看)
HBM4的核心约束仍是良率。由于8层堆叠在良率、成本和生产周期上优于12层堆叠,8-Hi可能成为2027年的主流配置。单颗GPU的HBM容量因此未必持续线性增加,但部分KV Cache将转移到主机内存,有望带动RDIMM和SOCAMM需求。
2. DRAM:服务器强、消费端弱,供给到2027年底仍紧
2026年第四季度,传统DRAM合约价格预计环比上涨10%—15%。其中:
- PC DRAM预计上涨13%—18%;
- 服务器DRAM预计上涨10%—15%;
- 移动DRAM预计仅上涨0%—5%。
服务器仍是需求核心,消费电子则受到高存储成本压制。随着韩国厂商把产能转向服务器和HBM,2027年PC DRAM供应可能同比下降20%以上,DDR4供应也可能下降约20%。DDR5模组价格甚至已经低于DDR4,反映老制程供给退出带来的结构性紧张。
3. NAND:企业级SSD与消费NAND走向两种周期
NAND价格在2026年第四季度预计环比上涨15%—20%,但真正保持加速的是企业级SSD,价格涨幅预计达到23%—28%。
随着AI推理规模扩大,部分云厂商开始使用QLC SSD存储KV Cache。QLC单位容量成本大约只有TLC的三分之一,而AI Agent工作负载具有“写入一次、多次读取”的特征,能够部分规避QLC寿命较短的问题。
相比之下,消费NAND库存正在上升。终端厂商可能通过降低配置应对成本压力,中国供应增加也会进一步压制消费级产品价格。2027年,企业级SSD和消费NAND的景气差异可能继续扩大。
AI硬件的价值量正在从存储向网络扩散
大摩中一个容易被忽视的判断,是AI服务器内部的价值分配正在变化。
在单机架系统中,GPU约占总成本的一半,存储占比可达到29%。但当数据中心从单机架走向多机架互联,存储占比可能下降至约19%,网络的成本占比则可能从10%上升至20%。
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这意味着,即使AI资本开支继续增长,增量价值也不一定完全落在存储上。Scale-up与Scale-out网络、光通信、电气互联、交换设备和测试环节,可能获得更快的内容价值增长。
换句话说,AI投资主线没有结束,但主线内部正在发生轮动。
中国供给是另一个变量
大摩将中国厂商视为全球存储供给的重要摆动因素。
长江存储已经形成规模化产能,全球NAND份额约为12%—13%,月产能约20万片;长鑫存储则已经供应DDR5和HBM3,在中国HBM市场的份额估计约为20%。
中国厂商短期仍主要服务本土客户,但随着工艺、良率和设备国产化率提高,其影响将从“国内替代”逐渐扩展为“全球供给变量”。这也是传统存储企业估值难以像纯AI计算公司那样持续扩张的重要原因。
投资主线
关于投资主线,下面仅仅是大摩的观点,我们并不发表任何投资建议。
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大摩认为, AI计算第一,网络第二,存储选择性参与。
第一类是AI计算,包括GPU、晶圆代工、ASIC设计和云端芯片。其优势是单位增长、市场空间扩张和产品周期仍然清晰。
第二类是网络,包括光通信、Scale-up互联、测试、交换机和CPO产业链。随着AI系统从单机架走向多机架,网络内容价值有望持续提升。
第三类是存储。大摩并非全面看空,而是强调“选择性”和“偏后周期交易”:中国国产化、DDR4/SLCR等供给收缩品种仍可能有机会;三星、SK海力士和铠侠等大厂则更适合战术性配置,而非简单长期追涨。
相对最不利的是下游硬件企业。存储涨价会推高其成本,而终端需求未必足以支持同步提价,因此更容易面临利润率压力和库存风险。
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