北京
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国家知识产权局信息显示，东莞市国彪半导体有限责任公司申请一项名为“晶圆表面金属化工艺技术”的专利，公开号CN122892463A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，晶圆表面金属化工艺技术。该发明所属的技术领域为：集成电路和半导体领域；芯片散热、第四代半导体加工和高端AI芯片堆叠（HBM）封装技术领域，涉及相关的晶圆表面金属化工艺技术。晶圆表面金属化工艺技术的5步法能有效减小晶圆表面金属化层厚度，且操作简便、生产成本低、生产速率显著提升、生产效率高；且晶圆表面金属化工艺技术的5步法的加工工艺技术方法能有效加工出来＜5nm达到2.5nm厚的高纯度AU黄金金属化层，且金属化层不会造成晶圆整体热应力和翘曲、不会脱落。为芯片散热、第四代半导体加工和高端AI芯片堆叠（HBM）封装技术实现有效突破；实现8英寸200mm厚0.3mm晶圆表面金属化＜5nm达到2.5nm的晶圆表面金属化层的量产。实现国内半导体技术的有效突破，为晶圆3D堆叠和AI芯片制造打下坚实基础。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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