北京
国家知识产权局信息显示，珠海零边界集成电路有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法、用电设备”的专利，公开号CN122892225A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、用电设备，涉及半导体技术领域；该半导体器件包括基底、重掺杂传导层和镇流层；重掺杂传导层位于基底的一侧，用于在半导体器件导通时，通过高载流子浓度提供低阻载流子传输通道；镇流层位于重掺杂传导层内，镇流层的掺杂浓度小于重掺杂传导层的掺杂浓度，用于在半导体器件承受高电压时发生耗尽以限制电流的增加；镇流层和部分重掺杂传导层，均通过对各自对应的第二掺杂类型区域进行相同浓度第一掺杂类型的杂质补偿形成。该半导体器件通过一道高浓度的注入工序进行杂质补偿形成重掺杂传导层和镇流层，避免单独低浓度注入时小尺寸高精度光刻的要求，降低了工艺难度和成本，同时有利于器件小型化。
天眼查资料显示，珠海零边界集成电路有限公司，成立于2018年，位于珠海市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本100000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海零边界集成电路有限公司参与招投标项目3次，专利信息605条，此外企业还拥有行政许可8个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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