北京
国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（淮安）有限公司申请一项名为“MIM电容器及其制作方法”的专利，公开号CN122892194A，申请日期为2026年8月。
专利摘要显示，本申请提供一种MIM电容器及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成底层金属层；采用等离子体增强化学气相沉积工艺在底层金属层上形成氮化硅介质层，反应气体包括硅烷与氨气，硅烷与氨气的流量比为0.8:1~1.2:1；采用氨气与氮气对氮化硅介质层进行等离子体处理；在氮化硅介质层上形成顶层金属层。本申请形成氮化硅介质层时，硅烷与氨气近似等比例，由此减少了氮化硅介质层中的硅‑氢键和氮‑氢键等悬挂键的密度，获得更接近化学计量比的氮化硅薄膜，之后再进行等离子体处理进行钝化修复，进一步钝化硅‑氢键和氮‑氢键并填补氮空位，调整流量比与等离子体处理协同作用使得氮化硅介质层更致密，提升MIM电容器的击穿电压绝对值，降低击穿电压离散性。
天眼查资料显示，荣芯半导体（淮安）有限公司，成立于2021年，位于淮安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本900000万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（淮安）有限公司参与招投标项目20次，专利信息80条，此外企业还拥有行政许可41个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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