北京
国家知识产权局信息显示，广东芯成汉奇半导体技术有限公司申请一项名为“硅中介层边缘环切方法”的专利，公开号CN122892590A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明公开一种硅中介层边缘环切方法，首先将功能芯片的贴装于硅中介层晶圆的正面，然后将所有的功能芯片进行塑封，再对硅中介层晶圆的边缘进行环切，由此可以完全避免切割过程中的碎屑污染，进而提高了产品良率以及芯片的可靠性；而且省去了现有技术中的晶圆清洗步骤，从而简化了工艺流程，缩短生产周期，降低生产成本。其次，减薄处理前先进行了环切，释放了边缘应力，也切断了边缘应力向晶圆内部的传递路径，因此有效降低了晶圆在减薄过程中发生边缘崩裂的风险，并提高了晶圆研磨的平整度和均匀性，进一步提高产品良率以及可靠性。
天眼查资料显示，广东芯成汉奇半导体技术有限公司，成立于2023年，位于东莞市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10252.7778万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯成汉奇半导体技术有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目29次，专利信息48条，此外企业还拥有行政许可38个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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