北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“一种基于无正面保护膜的RC-IGBT薄片背面光刻方法”的专利，公开号CN122883412A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请公开了一种基于无正面保护膜的RC‑IGBT薄片背面光刻方法，提供经过背面减薄的RC‑IGBT薄片，其正面设置有聚酰亚胺层且未键合任何正面保护膜；将薄片正面朝下放置于吸盘上，使聚酰亚胺层与吸盘上表面直接接触；通过吸盘上分布于中心区域和外围区域的多个吸气孔施加真空负压，使吸附力均匀分布于薄片正面；在薄片背面涂覆正性光刻胶；对光刻胶执行器件图形曝光操作，并对边缘区域执行额外的边缘曝光操作，该边缘曝光范围大于taiko ring；采用同一显影液同步去除边缘区域和器件图形区域的光刻胶。本发明在不使用正面保护膜的前提下实现了可靠的薄片背面光刻作业，简化了工艺流程，有效保护了正面聚酰亚胺层，提高了产品良率。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目952次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7990条，此外企业还拥有行政许可444个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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