北京
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国家知识产权局信息显示，南昌大学、南昌实验室、南昌硅基半导体科技有限公司申请一项名为“一种多波长发光器件及其制备方法”的专利，公开号CN122892333A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种多波长发光器件，包括：M个发光叠层；每个发光叠层包括从下至上依次层叠的N型层、多量子阱层、P型层和隧道结层；M个暴露结构，设置于多波长发光器件的表面，每个暴露结构沿厚度方向延伸至对应的N型层且暴露出N型层；（M+1）个N电极，分别设置于露出的N型层上，以及设置于顶面的隧道结层上；其中，M为不小于2的正整数；（M+1）个N电极之间相互电绝缘，并被配置为通过连接不同极性的电源控制M个发光叠层中的多量子阱层，以实现单层或多层组合发光。通过结构设计，使得N电极可实现与P电极等效的功能，因此无需在P型层上制备P型欧姆接触的电极，可以规避因干法刻蚀使P型层受损而导致的无法形成P型欧姆接触的问题。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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