北京
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司与上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“MTP器件结构、版图及其制造方法”的专利，公开号CN122892187A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种MTP器件结构，包括：衬底，其分为有源区与非有源区；大尺寸浅沟槽隔离结构，其形成于衬底内；浮栅结构，其横跨有源区与非有源区，包括第一浮栅结构及第二浮栅结构；阻挡介质层，其形成于第二浮栅结构的表面及侧壁；接触孔，包括第一接触孔及第二接触孔，第一接触孔形成于有源区的第一浮栅结构与第二浮栅结构的两侧，第二接触孔形成于非有源区的第一浮栅结构与第二浮栅结构的两侧及上方，且形成于第二浮栅结构的靠近第一浮栅结构一侧的第二接触孔与阻挡介质层之间有间隔；层间介质层，其填充于所述间隔内。通过本发明解决了以现有的增大浅沟槽隔离结构的尺寸来提高编程效率的方法产生的效果较差的问题。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2953次，专利信息2224条，此外企业还拥有行政许可119个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目952次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7990条，此外企业还拥有行政许可444个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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