江苏
最近，科准测控接收到一项针对红外探测器芯片引线键合可靠性测试的需求，客户需要对芯片封装过程中的金丝键合连接强度进行检测，通过测试金丝键合后的拉断力，评价键合点的连接可靠性。
红外探测器芯片广泛应用于红外成像、环境监测、医学研究及相关光电领域。在芯片封装过程中，需要通过引线键合工艺实现探测芯片与PCB、陶瓷基板等外部电路之间的信号连接，如果键合强度不足，可能出现键合点脱落、断丝等失效问题，影响整个探测器系统可靠运行。因此，需要通过金丝拉力测试对键合质量进行评价。
本文科准测控小编将围绕红外探测器芯片金丝拉力测试原理、测试标准、测试设备及测试步骤进行介绍。
一、测试原理
将完成金丝键合的芯片样品固定在测试平台上，通过拉力工具作用于金丝中部或规定测试位置，按照设定方向施加载荷，使金丝或键合区域发生断裂。
设备实时记录测试过程中的最大拉力值，通过分析拉断力大小以及失效位置，判断键合质量。
二、测试标准
红外探测器芯片金丝键合拉力测试可参考半导体可靠性测试相关标准：
1、GJB548B-2005《微电子器件试验方法和程序》，其中包含键合强度相关测试要求，可用于评价微电子器件内部引线连接可靠性。
2、MIL-STD-883：Method 2011 Bond Strength (Wire Pull Test)，主要用于微电子器件内部引线键合强度测试。
由于不同红外探测器芯片尺寸、焊盘尺寸、金丝直径、键合方式、封装结构存在差异，因此具体测试参数需要结合产品要求进行设定。
三、测试设备
本次测试采用科准测控 Alpha-W260推拉力测试机：
Alpha-W260推拉力测试机主要用于半导体封装领域微小力值测试，可完成金丝拉力测试、金球剪切测试、芯片剪切测试、焊球推力测试、微焊点可靠性测试。
针对红外探测器芯片金丝键合测试，设备可搭配高倍显微观察系统、金丝拉力测试夹具、精密定位平台及小量程高精度传感器，实时采集最大拉力值、测试位移、力-位移曲线、失效数据。
四、测试步骤
1、准备测试样品
准备完成金丝键合后的红外探测器芯片样品。
确认：
芯片焊盘状态；
金丝弧高；
键合点外观；
样品固定区域。
（本测试样品采用25 μm金丝进行球形键合，芯片焊盘规格为80 μm×80 μm。 ）
2、固定测试样品
根据芯片封装结构选择合适夹具，将样品固定于Alpha-W260测试平台。
固定过程中需要保证：
样品无移动；
测试方向稳定；
金丝受力方向符合要求。
3、定位金丝测试位置
通过显微观察系统定位目标金丝。
调整测试平台，使拉力工具移动至规定测试位置。
需要避免：
拉偏金丝；
接触芯片表面；
损伤焊盘区域。
4、设置测试参数
根据产品要求设置：
测试速度；
拉力方向；
触发条件；
最大行程。
对于不同键合工艺，需要保持测试条件一致，以便比较不同样品之间的键合强度。
5、进行金丝拉力测试
启动Alpha-W260推拉力测试机。
拉力工具按照设定方向加载，使金丝承受拉伸载荷。
随着载荷增加，设备记录整个过程中的力值变化，直到：
金丝断裂；
键合点脱落；
达到规定失效状态。
6、分析测试结果
测试完成后，需要综合分析：
最大拉力值；
失效位置；
力值重复性；
键合工艺稳定性。
不能只关注最大拉力，还需要判断失效发生在哪里。
例如：
金丝本体断裂，说明键合强度较高；
焊点脱落，可能与超声功率、接触力等工艺参数有关；
焊盘损伤，可能说明加载条件或工艺参数需要优化。
以上就是科准测控小编为您介绍的红外探测器芯片金丝拉力测试方法及测试过程。通过Alpha-W260推拉力测试机，可以对半导体封装中的金丝键合、焊点连接及微小力可靠性进行检测，为红外探测器芯片封装工艺优化、质量验证及可靠性评价提供测试支持。
如您对红外探测器芯片金丝拉力测试、半导体键合强度测试、Wire Pull测试、推拉力测试机选型及测试方案有需求，欢迎联系科准测控，我们可根据具体样品提供专业测试方案与技术支持。
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