北京
国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“一种键合晶圆的分离装置、方法以及绝缘体上硅衬底”的专利，公开号CN122892481A，申请日期为2026年9月。
专利摘要显示，本公开提供了一种键合晶圆的分离装置、方法以及绝缘体上硅衬底，属于半导体制造技术领域。该方法包括：将由第一晶圆与第二晶圆键合形成的键合晶圆置于密封腔室内；将密封腔室内的压力调节至不高于10 Pa的第一压力；在第一压力下，通过软接触键合晶圆周缘，以触发裂纹沿离子注入弱化层扩展；在保持软接触的状态下，将密封腔室内的压力升高至第二压力；在达到第二压力后，通过真空吸附方式吸附待提拉部分；在吸附待提拉部分后，终止键合晶圆周缘的软接触状态，并提拉待提拉部分，使第一晶圆沿离子注入弱化层分离。通过本公开的技术方案能够提高键合晶圆分离过程的稳定性。
天眼查资料显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司，成立于2016年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本403780万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟材料科技股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目13次，专利信息1673条，此外企业还拥有行政许可24个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
