北京
中经记者 陈佳岚 广州报道
10月10日，《中国经营报》记者获悉，长鑫存储4F² DRAM架构研发近期取得关键进展。长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上透露了长鑫存储在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向上的技术探索与积累，并官宣预计今年年底将推出融合了上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
曹堪宇表示，长鑫存储的4F²架构，最核心的特色是在DRAM存储阵列晶体管上的创新，即自研的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管。VSG晶体管采用了垂直包围沟道结构，能实现更强栅控，解决漏电与短沟道效应痛点，同时竖立的晶体管也助力面积微缩，提升存储密度。
目前DRAM行业内主流的架构是6F²架构。6F² 是衡量 DRAM存储单元面积的一个核心指标。在DRAM芯片设计中，一个存储单元通常由一个晶体管（1T）和一个电容器（1C）组成。F（最小特征尺寸）代表晶圆制造工艺中光刻技术能实现的最小线宽或间距。4F² 意味着每个单元仅占 4 倍最小特征尺寸的平方，因此单位面积内的晶体管数量会增多，实现了存储密度的提升。
此次演讲未提及长鑫存储即将推出的DDR5 RDIMM的规格信息和具体发布时间。DDR5 RDIMM作为服务器市场的主流配置，其应用环境对产品的性能指标、运行稳定性及兼容性提出了极高要求。据悉，长鑫存储将4F²架构的首代产品定为DDR5 RDIMM，将直面服务器内存领域极高的技术与工程壁垒。
（编辑：吴清 审核：李正豪 校对：陈丽）
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
