北京
来源：市场资讯
（来源：第三代半导体产业）
2026年9月28日，国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会正式批准发布推荐性国家标准GB/T 48345-2026《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》。该国家标准采信了第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）制定发布的团体标准T/CASAS 060—2025《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》。
2026年1月，国家标准委下达2026 年第一批推荐性国家标准采信团体标准计划，共76项，其中第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）入选13项，项目周期6个月。GB/T 48345-2026《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（TC203）归口，全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（TC203SC2）执行，于2026年9月28日发布，将于2027年4月1日正式实施。
【主要起草单位】
苏州晶湛半导体有限公司 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 、华润微电子（重庆）有限公司 、厦门市三安集成电路有限公司 、珠海镓未来科技有限公司 、广东工业大学 、大连理工大学 、中山大学 、北京中博芯半导体科技有限公司 、中国科学院微电子研究所 、工业和信息化部电子第五研究所 、北京大学东莞光电研究院 、南京盛鑫半导体材料有限公司 、重庆平创半导体研究院有限责任公司 、江苏能华微电子科技发展有限公司 。
【主要起草人】
向鹏 、程凯 、杨露 、高伟 、郑晨焱 、叶念慈 、张铭宏 、贺致远 、黄火林 、刘扬 、陈正昊 、康玄武 、施宜军 、刘强 、宋占洋 、陈显平 、夏远洋 。
全国标准信息服务平台链接
https://std.samr.gov.cn/gb/search/gbDetailed?id=5CB12E0EFB552034E06397BE0A0A34FB
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