北京
国家知识产权局信息显示，美新半导体（天津）股份有限公司申请一项名为“MEMS传感器的读出电路的前端电路”的专利，公开号CN122881770A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种MEMS传感器的读出电路的前端电路，其包括：MEMS传感器单元、电荷感应放大器和采样电路。所述MEMS传感器单元包括第一和第二传感电容、第一和第二参考电容。所述采样电路包括重分配电容、采样电容和开关组合。所述读出电路的前端电路周期性的工作，每个工作周期依次包括复位阶段、第一读出阶段和第二读出阶段。在不同读出阶段，第一传感电容和第一参考电容之间的第一节点的电压在第一电压和第二电压之间的切换，第二传感电容和第二参考电容之间的第二节点的电压在第二电压和第一电压之间的切换。通过所述重分配电容的电荷重分配，使得所述采样电容上得到的采样电压可以消除或减少所述电荷感应放大器的偏移电压或闪烁噪声。
天眼查资料显示，美新半导体（天津）股份有限公司，成立于2019年，位于天津市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本39079.3712万人民币。通过天眼查大数据分析，美新半导体（天津）股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目1次，专利信息124条，此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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