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今年8月，英伟达宣布推出NVHBM。这是一种定制HBM，进一步扩展了NVLink Fusion生态系统，为XPU带来更高的内存性能和效率。其中采用了定制的基础裸片（Base Die），相比于标准的HBM4E，不但可以提供更高的带宽，而且功耗更低，芯片面积也更小。传统的HBM架构将内存控制器放置在XPU芯片上，消耗了本可用于计算的宝贵空间。NVHBM则基于英伟达未来GPU采用的相同技术，将定制的内存控制器集成到HBM基础裸片中。
据TrendForce报道，作为HBM领域的主要客户，英伟达的决定影响着存储芯片制造商的选择。在此大背景下，三星和美光的行动表明，围绕NVHBM的设计将逐步超越自家的基础裸片，从而重塑了整个市场格局。
美光已经确定，与英伟达联合设计的NVHBM还有符合JEDEC标准HBM4E，都将选择外部代工厂制造基础裸片，简单来说就是台积电（TSMC）。三星也向前迈出了一大步，打算在定制HBM采取双轨并行策略，客户可选自家代工厂或台积电制造的基础裸片。
美光在HBM4上，选择了1β（1-beta）工艺制造DRAM芯片，到了HBM4E，将改用更为先进的1γ（1-gamma）工艺，大致与三星及SK海力士的1cnm（第六代10nm级别）工艺处于同一水平。
另外NVHBM也让SK海力士与英伟达及台积电的关系变得更为紧密，不但合作开发定制HBM，同时SK海力士打算升级基础裸片，从HBM4的12nm提升至3nm工艺。考虑到更多客户要求定制HBM拥有更多专属功能，预计SK海力士与台积电关系将变得更为密切。
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