三星电子：为智能体AI重构数据路径 全栈技术引领存储产业革新

9月23日，第五届GMIF 2026创新峰会在深圳湾万丽酒店圆满落幕。本届峰会由深圳市存储器行业协会与北京大学集成电路学院联合主办，以“AI存储，驱动未来”为核心主题，汇聚全球存储、半导体、算力及投资领域产业代表，共同研判AI时代存储产业的技术走向与发展格局。峰会期间，三星电子再度登上GMIF主题演讲台，并接受集微网专访，围绕智能体AI的底层挑战、核心产品迭代、架构创新以及中国产业生态布局，分享了深度洞察与最新进展。

这是三星连续第二年亮相GMIF峰会主题演讲环节，与去年相比，AI产业的迭代速度再次超出行业预期。在三星看来，全球科技产业正站在人类历史上的决定性技术拐点——行业的核心命题已经从“AI能实现哪些能力”，转向“数据需要怎样的流动方式，才能支撑起庞大的智能体算力”。正是基于这一判断，本届峰会三星将keynote主题定为“为智能体AI重新设计数据路径”。这一主题既是三星对当下AI产业核心瓶颈的回应，也是其存储技术战略的核心方向：当智能体AI走向规模化落地，数据的读取、传输、存储路径将成为决定算力效率与落地成本的关键底座，存储产业需要从底层重新设计数据流动的逻辑。

去年GMIF上，三星发布的PCIe Gen6 SSD曾引发行业高度关注，而在今年的峰会上，三星正式兑现了技术承诺。据介绍，三星PM1763 PCIe Gen6 SSD已实现全球领先的性能表现，顺序读写与随机读写全维度参数均处于行业第一梯队。硬件层面，该产品搭载V9 TLC存储器件、4nm制程控制器，并配备支持液冷系统的PCIe Gen6接口，全方位释放新一代接口的性能潜力。这款旗舰级性能型SSD将于今年第四季度正式送样，面向高端数据中心与AI算力场景提供存储支撑。与此同时，三星还带来了号称“世界最小”的256TB SSD，在极致体积下实现了容量级的突破。该产品内部采用V9 QLC器件与5nm控制器，容量覆盖16TB至256TB全区间，在芯片面积、读写性能与长期可靠性上均实现全面升级。凭借PM1763与BM1733两款产品，三星将同时锚定高性能存储市场与大容量存储市场，形成双轮驱动的产品格局。

作为全球V-NAND技术的引领者，三星在本届峰会上也带来了V NAND的最新技术成果——V10 V-NAND。三星表示，V-NAND的发展愿景从不局限于容量创新，而是要重新定义性能与效率的平衡，这也是智能体AI时代对存储介质的核心要求。自首款24层V1 V-NAND发布以来，三星始终主导着NAND垂直堆叠的技术路线。新一代V10是高比特密度、一流性能与超低功耗的集大成之作，其核心突破源于先进的键合（Bonding）技术与3-stack堆叠工艺：比特密度相比上一代提升58%，远超上一代44%的世代增幅，实现了堆叠效率的巨大跨越；I/O接口速度提升33%，更好匹配AI场景下的高并发数据读取需求；功耗延续每代降低25%的优化节奏，持续兑现绿色高效的技术承诺。

在专访中三星强调，存储创新不止于器件本身，更在于面向AI场景的架构级重构，zNAND-O正是这一思路的典型代表——它不只是一颗全新的存储器件，更配套了一套充分释放其价值的AI内存架构。当前主流的UMA统一内存架构下，运行大规模AI模型需要配置海量DRAM，带来了极高的硬件成本与部署门槛。针对这一痛点，三星提出全新的NPU优化内存架构：将操作系统与KV Cache等要求低延迟的模块保留在DRAM中，而将体量庞大、以读取密集为主的专家模型权重存放于zNAND-O。这套架构通过存储介质的分层部署，大幅降低了万亿参数级AI模型的内存成本，让端侧部署大模型、端侧实现万亿参数推理成为可能，也为AI算力的普惠化提供了新的技术路径。

过去十年，是中国数据中心与AI产业高速成长的十年，也是三星深度参与中国产业建设的十年。三星表示，过去十年间，三星始终与中国产业社区紧密协同，持续发布产品规格与技术白皮书，推动行业技术标准进步，共同赋能中国数据中心产业的发展。面向智能体AI的未来，三星已做好全维度技术准备，愿以开放的姿态参与任何形式的技术协作，与中国产业链各方携手，共同推动中国AI产业的成长。随着智能体AI进入规模化落地的关键期，存储作为数据底座的战略价值持续凸显。从介质迭代到接口升级，从器件创新到架构重构，三星正在以全栈式的技术布局，回应AI时代对存储的全方位需求。而持续深化的产业协同，也将为中国AI存储生态的高质量发展注入持续动力。