北京
分享至
国家知识产权局信息显示，苏州亿麦矽半导体技术有限公司申请一项名为“一种水冷有机基板结构及其制备方法”的专利，公开号CN122892587A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种水冷有机基板结构及其制备方法，涉及半导体封装技术领域，该结构包括水冷板、绝缘层和形成于绝缘层上的多层有机再布线结构。其制备方法是在水冷板上形成绝缘层后，采用磁控溅射/化学镀、光刻、电镀、塑封及研磨工艺，循环制作多层高导热的有机再布线层。本发明将芯片底部散热路径从传统的“芯片‑键合基板‑封装基板‑PCB‑水冷板”六级以上结构精简为“芯片‑键合基板‑有机再布线结构‑水冷板”三级结构，移除了PCB等主要热阻环节，并采用高导热有机介电材料，实现了散热效率的数量级提升，同时降低了封装厚度与工艺复杂度。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
